Государственный стандарт Союза ССР ГОСТ 20859.1-89 (СТ СЭВ 1135-88) "Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования" (утв. постановлением Госстандарта СССР от 24 апреля 1989 г. N 1056)

Power semiconductor devices. General technical requirements

Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы (далее - приборы) и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.

Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:

1) в средах с токопроводящей пылью;

2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;

3) во взрывоопасной среде;

4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений.

Термины, применяемые в настоящем стандарте, и их пояснения - по ГОСТ 15133, ГОСТ 25529, ГОСТ 20332, ГОСТ 20003 и приложению 1.

1. Технические требования

1.1. Приборы и модули должны изготавливать в соответствии с требованиями настоящего стандарта и технических условий на приборы и модули конкретных типов по конструкторской и технологической документации, утвержденной в установленном порядке.

1.2. Внешний вид приборов и модулей должен соответствовать эталонным образцам, утвержденным в установленном порядке.

1.3. Требования к конструкции

1.3.1. Габаритно-присоединительные размеры приборов и модулей должны соответствовать требованиям ГОСТ 23900, ГОСТ 27591 и технических условий на приборы и модули конкретных типов.

1.3.2. Масса приборов и модулей не должна превышать значений, установленных в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.

1.3.3. Герметичность приборов и модулей должна соответствовать нормам, установленным в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.

1.3.4. Выводы электродов, включая места их присоединения к прибору и модулю, должны быть прочно закреплены и выдерживать без механических повреждений и нарушения электрического контакта механические усилия, установленные в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.

1.3.5. Приборы таблеточной конструкции, предназначенные для эксплуатации со съемными охладителями, должны выдерживать многократную сборку с охладителями и разборку. Сборку приборов с охладителями проводят в соответствии с требованиями по монтажу и эксплуатации приборов, причем значение крутящего момента или усилия сжатия должно соответствовать нормам, установленным в технических условиях на приборы конкретных типов.

1.4. Требования к электрическим параметрам

1.4.1. Номенклатура и значения параметров и характеристик приборов должны соответствовать требованиям нормативно-технической документации на предельно допустимые параметры и характеристики и устанавливаться в технических условиях на приборы конкретных типов.

Номенклатура и значения параметров и характеристик модулей должны выбираться (в зависимости от входящих в модуль силовых полупроводниковых элементов) из нормативно-технических документов на предельно допустимые параметры и характеристики приборов и устанавливаться в технических условиях на модули конкретных типов.

1.4.1.1. Значения максимально допустимого тока (среднего, действующего, импульсного или постоянного) выбирают из ряда R 10: 10; 12,5; 16; 20; 25; 32; 40; 50; 63; 80 и 100 А. Для токов более 100 А их значения должны быть установлены умножением соответствующих значений данного ряда на 10 или 100.

1.4.1.2. Значения повторяющегося импульсного обратного напряжения, повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии, максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы и соответствующие им классы устанавливают в соответствии с табл. 1.

Классы	0,2*	0,3*	0,4*	0,5	0,6*	0,7*	0,8*	0,9*	1
Повторяющееся импульсное обратное напряжение, повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы, В, не менее	20	30	40	50	60	70	80	90	100

Классы	1,5**	2	2,5**	3	3,5**	4	5...	15	16
Повторяющееся импульсное обратное напряжение, повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы, В, не менее	150	200	250	300	350	400	500...	1500	1600

Классы	18	20...	80
Повторяющееся импульсное обратное напряжение, повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы, В, не менее	1800	2000...	8000

______________________________

* Только для диодов Шоттки и быстровосстанавливающихся диодов.

** Устанавливают по согласованию с потребителем.

1.4.1.3. Группы предельно допустимых значений параметров и характеристик приборов и модулей должны соответствовать указанным в табл. 2-7.

Условные обозначения групп приборов и модулей должны соответствовать требованиям приложения 2 в зависимости от значений параметров и характеристик, указанных в табл. 2-7. (Допускается обозначение групп приборов и модулей цифровым кодом или сочетанием цифрового и буквенно-цифрового кода, как указано в табл. 2-7.)

1) Значения времени обратного восстановления для быстровосстанавливающихся диодов и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл. 2.

Условное обозначение группы	0	А4	В4	С4	Е4	Н4	К4	М4	Р4	Т4	Х4	А5
	0	-	-	-	1	2	3	4	5	6	-	7
Время обратного восстановления, мкс, не более	Не нормируется	10*	8*	6,3	5	4	3,2	2,5	2	1,6	1,25	1

Условное обозначение группы	В5	С5	Е5	Н5	К5	М5	Р5	Г5	Х5	А6
	-	8	-	9	-	-	-	-	-	-
Время обратного восстановления, мкс, не более	0,8	0,63	0,5	0,4	0,32	0,25	0,2	0,16	0,125	0,1

Условное обозначение группы	В6	С6	Е6	Н6	К6	М6	P6	Т6	Х6	А7
	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Время обратного восстановления, мкс, не более	0,08	0,063	0,05	0,04	0,032	0,025	0,02	0,016	0,0125	0,01

______________________________

* Только для быстровосстанавливающихся диодов 40-го и более классов.

2) Значения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл. 3.

Условное обозначение группы	0	Р3	Б3	A3	Р2	К2	Е2	А2
	0	1	2	3	4	5	6	7
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее	Не нормируется	20	50	100	200	320	500	1000

Условное обозначение группы	T1	Р1	M1	К1	H1	E1	C1	B1
	8	-	9	-	-	-	-	-
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее	1600	2000	2500	3200	4000	5000	630,0	8000

3) Значения критической скорости нарастания коммутационного напряжения и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл. 4.

Условное обозначение группы	0	М4	Н4	Е4	С4	А4	Т3	М3
	0	1	2	-	3	4	5	6
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, не менее	Не нормируется	2,5	4	5	6,3	10	16	25

Условное обозначение группы	Е3	A3	Р2	К2	Е2	С2	В2	А2
	7	8	9	-	-	-	-	-
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, не менее	50	100	200	320	500	630	800	1000