(Действующий) ГОСТ 20859.1-89(CT СЭВ 1135-88) Приборы полупроводниковые силовые....

Докипедия просит пользователей использовать в своей электронной переписке скопированные части текстов нормативных документов. Автоматически генерируемые обратные ссылки на источник информации, доставят удовольствие вашим адресатам.

Действующий

ГОСТ 20859.1-89(CT СЭВ 1135-88) Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования

Группа Е65
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
Срок действия с 01.01.90
до 01.01.95
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ 
1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электротехнической промышленности СССР
2. ИСПОЛНИТЕЛИ
В.П.Белотелов, А.Н.Ильичев (руководители темы); Ю.А.Евсеев, д-р техн. наук; В.Б.Братолюбов, канд. техн. наук; В.В.Сажина
3. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 24.04.89 N 1056
4. Срок проверки 1995 год
5. Стандарт содержит все требования стандарта СЭВ 1135-88
В стандарт дополнительно введены термоциклические испытания, расширен ряд контрольных температур, расширен раздел модификации приборов; введены разделы "Комплектность" и "Гарантии изготовителя"; конкретизирована система обозначений; уточнена и конкретизирована система приемки и испытаний
6. Стандарт полностью соответствует международным стандартам МЭК 747-1-83, МЭК 747-2-83, МЭК 747-6-83, МЭК 147-IJ-81.
7. ВЗАМЕН ГОСТ 20859.1-79
8. Ссылочные нормативно-технические документы
Обозначение НТД, на который дана ссылкаНомер пункта, раздела, приложения
ГОСТ 2.601-682.2
ГОСТ 20.57.406-814.1; 4.2; 4.5.1; 4.5.2.1; 4.5.2.2; 4.5.3; 4.7.1; 4.7.2; 4.7.3; 4.8.1; 4.8.2
ГОСТ 8032-84Приложение 2
ГОСТ 15133-77Вводная часть
ГОСТ 15150-691.6.1; 1.6.3; 1.14.2; 1.14.3; 1.14.4; 1.14.5; разд.7; разд.8
ГОСТ 15543-701.6.1
ГОСТ 17516-721.5.1
ГОСТ 18242-72*3.2.1 

* На территории Российской Федерациидействует ГОСТ Р 50779.71-99.
ГОСТ 20003-74Вводная часть
ГОСТ 20332-84Вводная часть
ГОСТ 23216-78Разд.6
ГОСТ 23900-871.3.1; 4.5.1
ГОСТ 24461-804.2
ГОСТ 24566-864.5.3
ГОСТ 25529-82Вводная часть
ГОСТ 27264-874.2
ГОСТ 27591-881.3.1; 4.5.1
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы (далее - приборы) и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:
1) в средах с токопроводящей пылью;
2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
3) во взрывоопасной среде;
4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений.
Термины, применяемые в настоящем стандарте, и их пояснения - по ГОСТ 15133, ГОСТ 25529, ГОСТ 20332, ГОСТ 20003 и приложению 1.

1. ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ

1.1. Приборы и модули должны изготавливать в соответствии с требованиями настоящего стандарта и технических условий на приборы и модули конкретных типов по конструкторской и технологической документации, утвержденной в установленном порядке.

1.2. Внешний вид приборов и модулей должен соответствовать эталонным образцам, утвержденным в установленном порядке.

1.3. Требования к конструкции

1.3.1. Габаритно-присоединительные размеры приборов и модулей должны соответствовать требованиям ГОСТ 23900, ГОСТ 27591 и технических условий на приборы и модули конкретных типов.
1.3.2. Масса приборов и модулей не должна превышать значений, установленных в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.
1.3.3. Герметичность приборов и модулей должна соответствовать нормам, установленным в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.
1.3.4. Выводы электродов, включая места их присоединения к прибору и модулю, должны быть прочно закреплены и выдерживать без механических повреждений и нарушения электрического контакта механические усилия, установленные в технических условиях на приборы и модули конкретных типов.
1.3.5. Приборы таблеточной конструкции, предназначенные для эксплуатации со съемными охладителями, должны выдерживать многократную сборку с охладителями и разборку. Сборку приборов с охладителями проводят в соответствии с требованиями по монтажу и эксплуатации приборов, причем значение крутящего момента или усилия сжатия должно соответствовать нормам, установленным в технических условиях на приборы конкретных типов.

1.4. Требования к электрическим параметрам

1.4.1. Номенклатура и значения параметров и характеристик приборов должны соответствовать требованиям нормативно-технической документации на предельно допустимые параметры и характеристики и устанавливаться в технических условиях на приборы конкретных типов.

Номенклатура и значения параметров и характеристик модулей должны выбираться (в зависимости от входящих в модуль силовых полупроводниковых элементов) из нормативно-технических документов на предельно допустимые параметры и характеристики приборов и устанавливаться в технических условиях на модули конкретных типов.
1.4.1.1. Значения максимально допустимого тока (среднего, действующего, импульсного или постоянного) выбирают из ряда R 10: 10; 12,5; 16; 20; 25; 32; 40; 50; 63; 80 и 100 А. Для токов более 100 А их значения должны быть установлены умножением соответствующих значений данного ряда на 10 или 100.
1.4.1.2. Значения повторяющегося импульсного обратного напряжения, повторяющегося импульсного
напряжения в закрытом состоянии, максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы и соответствующие им классы устанавливают в соответствии с табл.1.
Таблица 1 
Классы0,2*0,3*0,4*0,50,6*0,7*0,8*0,9*1
Повторяющееся импульсное обратное напряжение, повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы, В, не менее2030405060708090100
Продолжение табл.1
Классы1,5**22,5**33,5**45...1516
Повторяющееся импульсное обратное напряжение, повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы, В, не менее150200250300350400500...15001600
Продолжение табл.1
Классы1820...80
Повторяющееся импульсное обратное напряжение, повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы, В, не менее18002000...8000
* Только для диодов Шоттки и быстровосстанавливающихся диодов.
** Устанавливают по согласованию с потребителем.
1.4.1.3. Группы предельно допустимых значений параметров и характеристик приборов и модулей должны соответствовать указанным в табл.2-7.
Условные обозначения групп приборов и модулей должны соответствовать требованиям приложения 2 в зависимости от значений параметров и характеристик, указанных в табл.2-7. (Допускается обозначение групп приборов и модулей цифровым кодом или сочетанием цифрового и буквенно-цифрового кода, как указано в табл.2-7).
1) Значения времени обратного восстановления для быстровосстанавливающихся диодов и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл.2.
Таблица 2
Условное обозначение группы 0А4В4С4Е4Н4К4М4Р4Т4Х4А5
0---123456-7
Время обратного восстановления, мкс, не болееНе нормируется10*8*6,3543,22,521,61,251
Продолжение табл.2 
Условное обозначение группы В5С5Е5Н5К5M5P5T5Х5A6
-8-9------
Время обратного восстановления, мкс, не более0,80,630,50,40,320,250,20,160,1250,1
Продолжение табл.2 
Условное обозначение группы В6С6Е6Н6К6М6Р6Т6Х6A7
----------
Время обратного восстановления, мкс, не более0,080,0630,050,040,0320,0250,020,0160,01250,01
* Только для быстровосстанавливающихся диодов 40-го и более классов.
2) Значения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл.3.
Таблица 3 
Условное обозначение группы 0Р3Е3A3P2К2E2A2
01234567
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менееНе нормируется20501002003205001000
Продолжение табл.3 
Условное обозначение
группы 
Т1P1М1К1H1E1C1B1
8-9-----
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее16002000250032004000500063008000
3) Значения критической скорости нарастания коммутационного напряжения и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл.4.
Таблица 4 
Условное обозначение группы 0М4H4Е4C4А4T3M3
012-3456
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, не менееНе нормируется2,5456,3101625
Продолжение табл.4 
Условное обозначение группы Е3A3P2К2E2С2В2А2
789-----
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, не менее501002003205006308001000
4) Значения времени включения для быстровключающихся и быстродействующих тиристоров и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл.5.
Таблица 5 
Условное обозначение группы 0Т3А4В4С4Н4К4М4Р4
0----1234
Время включения, мкс, не болееНе нормируется161086,343,22,52,0
Продолжение табл.5 
Условное обозначение группы Т4Х4А5С5Н5М5Т5A6В6
56789----
Время включения, мкс, не более1,61,251,00,630,40,250,160,10,08
5) Значения времени выключения для быстровыключающихся и быстродействующих тиристоров и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл.6.
Таблица 6 
Условное обозначение группы 0С3Е3Н3К3М3Р3Т3
01234567
Время выключения, мкс, не болееНе нормируется63504032252016
Продолжение табл.6 
Условное обозначение группы Х3А4В4С4Е4К4Р4Х4В5Е5
8-9-------
Время выключения, мкс, не более12,51086,353,221,250,80,5
6) Значение времени выключения для тиристоров небыстровыключающихся и небыстродействующих (низкочастотных) и соответствующие им группы устанавливают в соответствии с табл.7.
Таблица 7 
Условное обозначение группы 0В2С2Е2Н2К2М2Р2Т2Х2A3В3
0--1--2-3-4-
Время выключения, мкс, не болееНе нормируется80063050040032025020016012510080
Продолжение табл.7