Действующий
Для создания новых классов конденсаторов будут проведены работы по изготовлению танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов, разработке технологии производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и организации производства таких конденсаторов.
Для совершенствования качества и технических характеристик коммутаторов и переключателей планируются работы по созданию технологии базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения, технологии газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками, технологии изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа, а также технологии серий герметизированных магнитоуправляемых контактов и переключателей широкого частотного диапазона.
Для создания новых классов приборов акустоэлектроники и пьезотехники планируется провести разработку прецизионных температуростабильных высокочастотных (до 2 ГГц) резонаторов на поверхностных акустических волнах, разработку ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом, разработку базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа, разработку промышленной технологии акустоэлектронной компонентной базы для задач мониторинга, робототехники и контроля функционирования различных механизмов, средств и систем, разработку базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов, а также разработку технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем.
технологии фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для аппаратуры контроля изображений;
технологии унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона;
технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения.
мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения) при снижении расходимости излучения в 5 раз для создания аппаратуры и систем нового поколения;
для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта;
полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве.
технологий интегрированных катодолюминесцентных дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением;
технологии высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения;
базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа;
базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения;
технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления "с катушки на катушку";
базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических, кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и созданных на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные;
В рамках направления 7 "Обеспечивающие работы" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий, включающих:
разработку межведомственной информационно-справочной системы и баз данных по библиотекам стандартных элементов, правилам проектирования, системе заказа шаблонов, изготовлению опытных образцов и аттестации проектов сложной электронной компонентной базы;
разработку научно обоснованных рекомендаций по дальнейшему развитию электронной компонентной базы и подготовку комплектов документов программно-целевого развития электронной техники в интересах обеспечения технологической и информационной безопасности России;
систематический контроль и анализ выполнения мероприятий подпрограммы, формирование годовых планов, проведение конкурсного отбора научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и анализ выполнения подпрограммы;
создание и внедрение комплекса методической и научно-технической документации по проектированию сложной электронной компонентной базы, по обеспечению надежности и качества, экологической безопасности и защите интеллектуальной собственности с учетом обеспечения требований Всемирной торговой организации.
Ресурсное обеспечение подпрограммы предусматривает привлечение средств федерального бюджета и внебюджетных средств.
Средства федерального бюджета направляются в первую очередь на финансирование следующих приоритетных направлений развития электронной компонентной базы:
радиационно стойкая электронная компонентная база, включая радиационно стойкие материалы и радиационно стойкую микроэлектронику;
микросистемная техника на базе микроэлектромеханических систем, интеллектуальных сенсоров и интегрированных структур, включая материалы для микросистемной техники;
базовые центры системного проектирования, в том числе межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.
Приоритетность направлений обусловлена имеющимся научно-техническим заделом, прогрессивностью новых исследований и результатов, удельным весом данного направления в общем объеме работ по развитию электроники и темпами развития специальной и гражданской техники.
Объемы финансирования приоритетных направлений развития электронной компонентной базы в 2007 - 2011 годах за счет средств федерального бюджета приведены в приложении N 3.
Наибольшие суммы средств на научные исследования выделяются на проведение научно-исследовательских работ в области развития сверхвысокочастотной техники, радиационно стойкой электронной компонентной базы и микросистемной техники (около 58 процентов). За пятилетний период планируется в первую очередь осуществить техническое перевооружение предприятий, работающих в области сверхвысокочастотной техники, радиационно стойкой электронной компонентной базы и микросистемной техники, для чего планируется выделить 54 процента всех капитальных вложений. При этом наибольшая сумма капитальных вложений (41 процент) будет выделена на создание и техническое оснащение базовых центров системного проектирования и межотраслевого центра фотошаблонов. Таким образом, на четыре приоритетных направления развития электронной компонентной базы в 2007 - 2011 годах планируется выделить 70 процентов всех финансовых средств, выделяемых на реализацию подпрограммы.
Объем финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по всем направлениям подпрограммы за счет внебюджетных средств будет не менее 7940 млн. рублей.
Источниками внебюджетных средств станут средства организаций - исполнителей работ и привлеченные средства (кредиты банков, заемные средства, средства потенциальных потребителей технологий и средств от эмиссии акций).
Капитальные вложения направляются на создание и освоение перспективных технологических процессов изготовления электронной компонентной базы, развитие производств нового технологического уровня, обеспечивающих ускоренное наращивание объемов производства конкурентоспособной продукции. Для реализации проектов по техническому перевооружению предприятиями привлекаются внебюджетные средства в объеме государственных капитальных вложений. Замещение внебюджетных средств, привлекаемых для выполнения мероприятий научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ реконструкции и технического перевооружения организаций, средствами федерального бюджета не допускается.
Объемы и источники финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и капитальных вложений подпрограммы по годам приведены в приложении N 4.
Объемы финансирования подпрограммы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников приведены в приложении N 5.
Распределение объемов финансирования подпрограммы за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам подпрограммы приведено в приложении N 6.
Учитывая сложившуюся структуру федеральных органов исполнительной власти и общепромышленное значение выполнения подпрограммы, государственным заказчиком - координатором подпрограммы является Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации, а государственными заказчиками - Федеральное агентство по промышленности, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию.
Управление реализацией подпрограммы, а также контроль за ее выполнением будет осуществлять государственный заказчик - координатор федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы.