новых классов и групп резисторов и конденсаторов с повышенными техническими и эксплуатационными характеристиками, включая развитие производственных мощностей по их выпуску;

сверхъярких высокоэкономичных светодиодов красного свечения для "стоп-сигналов" транспортной техники;

высокоэффективных широкоспектральных твердотельных осветительных приборов для бытовых и промышленных целей;

гибких экранов, информационных табло и сигнальных устройств на полимерной основе, включая варианты "прозрачных" экранов;

светочувствительных твердотельных матричных приемников для наблюдения в широком спектральном диапазоне с вариациями освещенности;

рентгеночувствительных матричных приемников для медицинской техники нового поколения;

приборов пьезотехники и акустоэлектроники для научной, медицинской и связной аппаратуры;

приборов магнитоэлектроники для радиоэлектронной аппаратуры, сверхвысокочастотной техники, диагностической и научной аппаратуры;

фотоэлектронных умножителей широкого спектрального диапазона;

магнитоэлектрических приборов расширенного диапазона частот;

мощных технологических лазеров с полупроводниковой накачкой;

эксимерных лазеров для электронных технологий и медицины;

базовых модулей лазерных локаторов и лазерных комплексов.

Рыночная потребность в указанных видах электронной компонентной базы достаточно высока, более того, большая часть вновь разрабатываемых видов электронной компонентной базы и изделий электронной техники (высокояркостные твердотельные источники света и экраны, солнечные элементы и батареи, приборы акустоэлектроники, магнито-, пьезоэлектроники) не только обладают высокими потребительскими свойствами, но и дают значительный экономический эффект за счет энергосбережения и интеграции функций.

Для создания нового технического уровня резисторов планируются работы по разработке технологии сверхпрецизионных резисторов, используемых для аппаратуры двойного назначения, технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона, технологии интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки, технологии нелинейных резисторов (варисторов, позисторов, термисторов) в чип-исполнении, технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов.

Для создания новых классов конденсаторов будут проведены работы по изготовлению танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов, разработке технологии производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и организации производства таких конденсаторов.

Для совершенствования качества и технических характеристик коммутаторов и переключателей планируются работы по созданию технологии базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения, технологии газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками, технологии изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа, а также технологии серий герметизированных магнитоуправляемых контактов и переключателей широкого частотного диапазона.

Для создания новых классов приборов акустоэлектроники и пьезотехники планируется провести разработку прецизионных температуростабильных высокочастотных (до 2 ГГц) резонаторов на поверхностных акустических волнах, разработку ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом, разработку базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа, разработку промышленной технологии акустоэлектронной компонентной базы для задач мониторинга, робототехники и контроля функционирования различных механизмов, средств и систем, разработку базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов, а также разработку технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем.

Работы по приборам инфракрасной техники будут сконцентрированы в области разработки:

технологии фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для аппаратуры контроля изображений;

технологии унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона;

технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения.

Для приборов квантовой электроники приоритетными будут работы по созданию технологий:

мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения) при снижении расходимости излучения в 5 раз для создания аппаратуры и систем нового поколения;

специализированных лазерных полупроводниковых диодов и лазерных волоконно-оптических модулей;

для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта;

полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве.

Приборы светотехники и отображения информации будут совершенствоваться на основе разработки:

технологий интегрированных катодолюминесцентных дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением;

технологии высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения;

базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа;

базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения;

технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления "с катушки на катушку";

базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических, кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и созданных на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные;

базовой конструкции и технологии крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей.

В рамках направления 7 "Обеспечивающие работы" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий, включающих:

разработку межведомственной информационно-справочной системы и баз данных по библиотекам стандартных элементов, правилам проектирования, системе заказа шаблонов, изготовлению опытных образцов и аттестации проектов сложной электронной компонентной базы;

разработку научно обоснованных рекомендаций по дальнейшему развитию электронной компонентной базы и подготовку комплектов документов программно-целевого развития электронной техники в интересах обеспечения технологической и информационной безопасности России;

систематический контроль и анализ выполнения мероприятий подпрограммы, формирование годовых планов, проведение конкурсного отбора научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и анализ выполнения подпрограммы;

создание и внедрение комплекса методической и научно-технической документации по проектированию сложной электронной компонентной базы, по обеспечению надежности и качества, экологической безопасности и защите интеллектуальной собственности с учетом обеспечения требований Всемирной торговой организации.

IV. Обоснование ресурсного обеспечения подпрограммы

Расходы на реализацию мероприятий подпрограммы составляют 38460 млн. рублей, в том числе:

а) за счет средств федерального бюджета - 23200 млн. рублей, из них:

на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 15880 млн. рублей;

на капитальные вложения - 7320 млн. рублей;

б) за счет средств внебюджетных источников - 15260 млн. рублей.

Ресурсное обеспечение подпрограммы предусматривает привлечение средств федерального бюджета и внебюджетных средств.

Средства федерального бюджета направляются в первую очередь на финансирование следующих приоритетных направлений развития электронной компонентной базы:

сверхвысокочастотная электроника, включая сверхвысокочастотные материалы;

радиационно стойкая электронная компонентная база, включая радиационно стойкие материалы и радиационно стойкую микроэлектронику;